ПЕРШОВІДКРИВАЧ P-N ПЕРЕХОДУ В.Є. ЛАШКАРЬОВ

В.Є. Лашкарьов є піонером інформаційних технологій в Україна i в колишньому СРСР у галузь транзисторної елементної бази засобів обчислювальної техніки. Цілком справедливо вважати його i одним з перших у свiтi фундаторів транзисторної мікроелектроніки.

Засновник та директор (з 1960 по 1970 рр.) Інституту фізики напiвпровiдникiв Академії наук УРСР.

Засновник кафедри фізики напівпровідників Київського державного університету ім. Т.Г. Шевченка.

Один із фундаторів транзисторної елементної бази засобів обчислювальної техніки та транзисторної мікроелектроніки

У 1941 роцi перший у свата експериментально відкрив p-n перехід та розкрив механізм електронно-диркової дифузії, на основа яких під його керiвництвом на початку 50-х рокiв в Українi були створенi напiвпровiдниковi трiоди.

У 1941 році В.Є. Лашкарьов опублікував статтю “Дослiдження замикаючих шарiв методом термозонда”. Вiн встановив, що обидвi сторони “запiрного шару”, розташованого паралельно границi подiлу мiдь – закис мiдi, мали протилежнi знаки носiїв струму. Це явище одержало назву p-n переходу (p — вiд positive, n — вiд negative). В.Є. Лашкарьов розкрив також механiзм інжекції — найважливiшого явища, на основi якого дiють напiвпровiдниковi дiоди i транзистори.

Починаючи з цього часу i до кiнця життя вчений послiдовно i плiдно дослiджував фiзичнi властивостi напівпровідників. На додаток до двох перших робiт у 1950 р. вiн i В.I. Ляшенко опублікували статтю “Електроннi стани на поверхнi напiвпровiдника” (Юбил. сборн. к 70-летию акад. А.Ф. Иоффе), в якiй описали результати дослiджень поверхневих явищ у напiвпровiдниках, що згодом стали основою роботи iнтегральних схем на польових транзисторах.

Перше повiдомлення в американськiй пресi про появу напiвпровiдникового пiдсилювача-транзистора з’явилося в липнi 1948 року. Його винахiдники — американськi вченi Бардин i Браттейн — пiшли шляхом створення так званого точкового транзистора на основi кристала германiю n-типу. Перший обнадiйливий результат вони одержали наприкiнцi 1947 р. Проте прилад працював нестабiльно, його характеристики були непередбачуваними, i тому практичного застосування точковий транзистор не отримав.

1951 року у США з’явився надiйнiший площинний транзистор n-p-n типу. Його створив Шоклi. Транзистор складався з трьох шарiв германiю n, p i n типу загальною товщиною 1 см i був зовсiм не схожий на майбутнi мiнiатюрнi, а згодом — i невидимi компоненти iнтегральних схем.

Уже через кiлька рокiв значення винаходу американських учених стало очевидним, i вони були удостоєнi Нобелiвської премiї. Можливо, початок “холодної вiйни” або iснуюча тодi “залiзна завiса” перешкодили В.Є. Лашкарьову стати нобелiвським лауреатом.

Вадим Євгенович народився i отримав вищу освiту в Києвi, згодом працював у Ленiнградi та Архангельську. Найплiднiшi 35 рокiв йлшл життя пов’язанi з Києвом. Вiн залишив пiсля себе цiлу плеяду учнiв, якi згодом стали визначними вченими, що успiшно продовжують розпочатi ним дослiдження.

У 2002 році iм’я В.Є. Лашкарьова присвоєно заснованому ним Iнституту фізики напiвпровiдникiв НАН України.

завантаження...
WordPress: 22.86MB | MySQL:26 | 0,308sec